将用于下一代AI加速器的存通关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，过英工作三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的伟达认证测试，三星表示，认证相比上一代HBM3能效提升约20%。加速目前三星已开始向英伟达批量供货，负载此举将打破SK海力士在HBM市场的部署垄断格局，存通 来源：三星官方新闻 通过优化热管理工艺和先进的过英工作硅通孔技术，预计下半年搭载于H200及后续GPU中。伟达单颗容量达36GB，认证业内分析认为，加速显著降低延迟。负载为全球AI芯片供应链提供更多选择。部署数据传输速率高达9.6Gbps，存通HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，